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射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。產(chǎn)品詳情Ampleon創(chuàng)建于2015年，由50多年的射頻電源領導經(jīng)驗塑造而成。該公司設想通過基于先進GaN和LDMOS技術的高頻應用創(chuàng)新，讓世界變得更美好。Ampleon在全球擁有1600多名員工，致力于通過密切的合作與伙伴關系、創(chuàng)新和卓越的執(zhí)行力，讓客戶在射頻電源產(chǎn)品方面取得成功。其創(chuàng)新而一致的產(chǎn)品組合為4G LTE和5G NR基礎設施、工業(yè)、科學、醫(yī)療、廣播、航空航天和國防應用提供產(chǎn)品和解決方案。
Ampleon的產(chǎn)品線包括射頻功率晶體管、射頻功率模塊、射頻前端模塊、驅(qū)動電路和射頻功率控制器等，具有優(yōu)異的性能指標和極高的可靠性。其產(chǎn)品廣泛應用于LTE、5G無線基礎設施、雷達、廣播、醫(yī)療、無線充電、娛樂消費電子等多個領域。
公司常備Ampleon 現(xiàn)貨有: BLP27M810Z、BLF6G21-10G、BLF888AS、BLF6G38-50、等產(chǎn)品，其他產(chǎn)品也可支持訂購，歡迎來電咨詢！
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